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技術(shù)探討

內(nèi)氧化法制備Al2O3彌散強(qiáng)化銅合金及其組織與性能

采用內(nèi)氧化法用霧化銅鋁合金粉制備出了鋁含量(質(zhì)量分?jǐn)?shù))分別為0.15%、0.25%、0.35%的3種氧 化鋁彌散強(qiáng)化銅合金。研究了A1203彌散強(qiáng)化銅合金的組織與性能。結(jié)果表明,彌散銅合金的晶粒細(xì)小,晶粒 大小在0.2~1腳之間;內(nèi)氧化工藝生成的細(xì)小氧化鋁質(zhì)點(diǎn)在晶粒內(nèi)部呈彌散分布,其平均直徑小于20nm。 0.35%~含量的彌散強(qiáng)化銅合金抗拉強(qiáng)度為600艘a,電導(dǎo)率為83%IACS,滿足了CuCrZr電阻焊電極的要求, 司以作為CuCrZr電阻焊電極的替代材料。
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彌散銅內(nèi)氧化動(dòng)力學(xué)


對Cu-Al合金的內(nèi)氧化工藝及其動(dòng)力學(xué)進(jìn)行了系統(tǒng)研究。結(jié)果表明: 本實(shí)驗(yàn)條件下以1223K, 015h 內(nèi)氧化 工藝所得材料的性能最佳, 其顯微組織特征是Cu基體上均勻彌散分布著納米級(jí)Al2O3粒子。理想條件的內(nèi)氧化初 期和實(shí)際條件下的內(nèi)氧化動(dòng)力學(xué)曲線服從拋物線規(guī)律。溫度、時(shí)間、Cu-Al合金粉顆粒半徑和Al濃度是實(shí)際內(nèi)氧化 控制的4 要素, 它們間的函數(shù)關(guān)系近似滿足下式: t=6179R2CBexp (23251/T)。實(shí)際內(nèi)氧化時(shí)間不宜過長, 內(nèi)氧化溫 度應(yīng)該: 1123K< T ≤1223K。
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Al2O3高純銅濺射靶材的發(fā)展及現(xiàn)狀


簡要介紹了高純銅濺射靶材目前的市場情況、現(xiàn)狀、應(yīng)用領(lǐng)域和未來高純銅濺射靶材發(fā)展趨勢; 并對高 純銅濺射靶材的特性要求以及微觀組織控制做了簡單的闡述。 
 
 
 
 
 
 
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