河北星耀新材料科技有限公司 | 電子封裝及熱沉材料應(yīng)用

材料介紹

電子封裝是將一個具有一定功能的集成電路芯片（包括半導(dǎo)體集成電路芯片、薄膜集成電路基片、混合集成電路芯片）放置在一個與之相適應(yīng)的外殼容器中，為芯片提供一個穩(wěn)定可靠的工作環(huán)境，保護(hù)芯片不受或少受外部環(huán)境影響，使集成電路具有穩(wěn)定正常的功能。同時封裝也是芯片輸出、輸入端向外過渡的連接手段，與芯片共同形成一個完整的整體。電子封裝材料要求具有一定的機(jī)械強(qiáng)度、良好的電氣性能、散熱性能和化學(xué)穩(wěn)定性，并根據(jù)集成電路類別和使用場所的不同，選用不同的封裝結(jié)構(gòu)和材料。

在功率電子器件和電路中散熱是一個不可避免的副產(chǎn)品。熱沉材料有助于消散芯片熱量，將其傳輸?shù)街車目諝庵小?/span>

鉬銅、鎢銅、CMC和CMCC材料結(jié)合了鉬、鎢的低熱膨脹率和銅的高熱導(dǎo)率，可有效釋放電子器件的熱量，有助于冷卻 IGBT 模塊、RF功率放大器、LED 芯片等各種產(chǎn)品，可用于大規(guī)模集成電路和大功率微波器件中作為絕緣金屬基片、熱控板和散熱元件（熱沉材料）和引線框架。

功率半導(dǎo)體封裝管殼

IGBT模塊

產(chǎn)品規(guī)格

我們可以提供如下產(chǎn)品用于功率電子器件和電路中：

熱沉材料
- 鎢銅合金
- 鉬銅合金
- CMC，CMCC
- 鉬元

電子封裝材料
- AlSiC
- AlSi

鎢銅合金

產(chǎn)品優(yōu)勢：產(chǎn)品孔隙率極低，BET法測定的比表面為國內(nèi)同行的一半（選用5*5*52mm樣品100只比較）。產(chǎn)品具有良好的氣密性，氦質(zhì)譜儀檢漏測驗(yàn)<5*10-9Pa?m3/S可完全通過。不添加任何活化燒結(jié)元素如鐵、鎳、鈷、錳。具有良好的熱導(dǎo)性能及熱膨脹匹配性能。優(yōu)異的加工精度、表面光潔度和平整度?？商峁╇婂儽砻?。

產(chǎn)品規(guī)格：鎢銅裸片及表面鍍鎳、鍍金。

鉬銅合金

產(chǎn)品優(yōu)勢：鉬銅合金相比較于鎢銅合金，其密度較低。產(chǎn)品孔隙率極低，BET法測定的比表面為國內(nèi)同行的一半（選用5*5*52mm樣品100只比較）。產(chǎn)品具有良好的氣密性，氦質(zhì)譜儀檢漏測驗(yàn)<5*10-9Pa?m3/S可完全通過。具有高熱導(dǎo)率和較低的熱膨脹系數(shù)，優(yōu)異的加工精度、表面光潔度和平整度。可提供電鍍表面。

產(chǎn)品規(guī)格：鉬銅裸片及表面鍍鎳、鍍金。

銅-鉬銅-銅、銅-鉬-銅

產(chǎn)品優(yōu)勢：CMCC（銅-鉬銅-銅）和CMC（銅-鉬-銅）是一種三層結(jié)構(gòu)材料，芯材為鉬銅或鉬，雙面覆以銅。其以較低的熱膨脹系數(shù)和遠(yuǎn)優(yōu)于WCu和MoCu的熱導(dǎo)率為高功率電子元器件提供更優(yōu)替換方案，有助于冷卻 IGBT 模塊等各種大功率元器件。

產(chǎn)品規(guī)格：我們可以為客戶提供各種厚度和不同層數(shù)結(jié)構(gòu)的層片結(jié)構(gòu)材料，以滿足客戶的各種使用要求。

典型熱沉材料性能表

原料（名稱）	成分[wt%]	密度[g/cm3]	熱膨脹系數(shù)[10-6/K]	熱導(dǎo)率[W/(m·K)]
CMCC141	Cu/MoCu30/Cu 1:4:1	9.5±0.2	7.3/10.0/8.5	220
CMCC232	Cu/MoCu30/Cu 2:3:2	9.3±0.2	7.5/11.0/9.0	255
CMCC111	Cu/MoCu30/Cu 1:1:1	9.2±0.2	9.5	260
CMCC212	Cu/MoCu30/Cu 2:1:2	9.1±0.2	11.5	300
CMC111	Cu/Mo/Cu 1:1:1	9.3±0.2	8.3 6.4(20~800℃)	305（平面） 250（厚度）
S-CMC51515	Cu/Mo/Cu/Mo/Cu 5:1:5:1:5	9.2±0.2	12.8 6.1(20~800℃)	350（平面） 295（厚度）
無氧銅 TU1	Cu	8.93	17.7	391

鉬原片

產(chǎn)品優(yōu)勢：我司的鉬原片具有優(yōu)異的熱導(dǎo)率和導(dǎo)電率，熱膨脹系數(shù)與基板匹配性高，可以為客戶提供裸片和鍍層產(chǎn)品。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電力半導(dǎo)體器件大功率晶閘管，快速晶閘管。

產(chǎn)品規(guī)格：圓形鉬原片：厚度: 0.05 ~ 7.0 mm；直徑: 2.5 ~ 150.0 mm

AlSiC

產(chǎn)品優(yōu)勢：（AlSiC）鋁碳化硅IGBT基板是高鐵上必不可少的零件。鋁碳化硅復(fù)合材料是將碳化硅陶瓷與金屬鋁復(fù)合而成的新材料，將陶瓷與金屬的優(yōu)秀品質(zhì)齊集一身，熱導(dǎo)率高、熱膨脹系數(shù)低、比剛度好、質(zhì)量輕，是理想的功率電子基板材料和襯底材料，與電子芯片焊接后可實(shí)現(xiàn)良好工作匹配。鋁碳化硅基板封裝的IGBT產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于高鐵驅(qū)動、地鐵驅(qū)動、新能源汽車、風(fēng)力發(fā)電、焊接機(jī)器人等行業(yè)。

AlSi

產(chǎn)品優(yōu)勢：主要用于電子封裝，在微波功率器件，集成功率模塊，T/R模塊等電子功率器件中，利用硅鋁合金作為電子封裝材料的基座，外殼，盒體，蓋板，匹配性好，可提供更好的散熱，能極大的延長封裝大功率模塊的使用壽命，可靠性增加。該材料具有重量輕（密度2.4—2.7g/cm3），熱導(dǎo)率高，熱膨脹系數(shù)低，剛度高，易于機(jī)加工，表面鍍覆性能以及焊接性能好，材料致密性好，耐高溫，耐腐蝕等特點(diǎn)。

電子封裝及熱沉材料應(yīng)用