Electronic Packaging Materials & Heat Sinks
功率半導體封裝管殼
IGBT模塊
產(chǎn)品規(guī)格:鎢銅裸片及表面鍍鎳、鍍金。
產(chǎn)品規(guī)格:鉬銅裸片及表面鍍鎳、鍍金。
典型熱沉材料性能表
原料(名稱) |
成分[wt%] |
密度[g/cm3] |
熱膨脹系數(shù)[10-6/K] |
熱導率[W/(m·K)] |
CMCC141 |
Cu/MoCu30/Cu |
9.5±0.2 |
7.3/10.0/8.5 |
220 |
CMCC232 |
Cu/MoCu30/Cu |
9.3±0.2 |
7.5/11.0/9.0 |
255 |
CMCC111 |
Cu/MoCu30/Cu |
9.2±0.2 |
9.5 |
260 |
CMCC212 |
Cu/MoCu30/Cu |
9.1±0.2 |
11.5 |
300 |
CMC111 |
Cu/Mo/Cu |
9.3±0.2 |
8.3 |
305(平面) 250(厚度) |
S-CMC51515 |
Cu/Mo/Cu/Mo/Cu |
9.2±0.2 |
12.8 |
350(平面) 295(厚度) |
無氧銅 TU1 |
Cu |
8.93 |
17.7 |
391 |
產(chǎn)品優(yōu)勢:我司的鉬原片具有優(yōu)異的熱導率和導電率,熱膨脹系數(shù)與基板匹配性高,可以為客戶提供裸片和鍍層產(chǎn)品。產(chǎn)品廣泛應用于電力半導體器件大功率晶閘管,快速晶閘管。